2月10日，西部數(shù)據(jù)公司正式宣布已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出第五代3D NAND技術(shù)，并且將會(huì)在后續(xù)的產(chǎn)品中引用這項(xiàng)技術(shù)，相比較上代技術(shù)而言，這一代技術(shù)每片晶圓的儲(chǔ)存容量提高了40%。

基于512GB的BiCS5 TLC（第五代3D NAND技術(shù)）西部數(shù)據(jù)目前已經(jīng)成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品當(dāng)中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，而根據(jù)西部數(shù)據(jù)給到的官方消息來(lái)看，2020年下半年，BiCS5就可以大規(guī)模的量產(chǎn)，并且隨后西部數(shù)據(jù)也將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC硬盤(pán)產(chǎn)品。

而這一次西部數(shù)據(jù)之所以會(huì)在短時(shí)間內(nèi)著急研發(fā)新一代的3D NAND技術(shù)也是為了能夠快速占領(lǐng)市場(chǎng)份額，同時(shí)也希望能夠體現(xiàn)西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)方面的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，尤其是這一代技術(shù)相比較上一代96層的BiCS4而言，每片晶圓的儲(chǔ)存容量提升了40%，優(yōu)化了成本，同時(shí)也提高了性能輸出能力。

尤其是在I/O性能方面，更是相比較前代技術(shù)提升了50%，其實(shí)這些性能參數(shù)對(duì)于消費(fèi)者而言，還不是特別好理解，我們可以簡(jiǎn)單形容，運(yùn)用了BiCS5技術(shù)的閃存產(chǎn)品在數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度方面的延遲僅為500微秒，相比較上代提升了近30%，同時(shí)讀取信號(hào)的響應(yīng)時(shí)間也大幅度縮短到了50微秒。

這也就意味著，今后的閃存產(chǎn)品如果搭載了這項(xiàng)技術(shù)，將會(huì)在處理速度方面有一個(gè)質(zhì)的飛躍，讓流暢性得到保障也是閃存產(chǎn)品從誕生以來(lái)到如今的重要環(huán)節(jié)，很顯然在如今，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)做到了，而今后西部數(shù)據(jù)所將要推出的消費(fèi)級(jí)BiCS5硬盤(pán)產(chǎn)品，也定然會(huì)在市場(chǎng)中快速占領(lǐng)地位。

而具體的出貨時(shí)間，西部數(shù)據(jù)官方已經(jīng)正式確定為2020年下半年，具體的產(chǎn)品也要等到下半年才能夠發(fā)布，感興趣的消費(fèi)者不妨持續(xù)關(guān)注一下，而今后閃存市場(chǎng)中也就又多了一位實(shí)至名歸的高性能怪獸。